Samsung Lança Memória Avançada para IA com Recorde Inovador

A Samsung fez um anúncio importante nesta quarta-feira, dia 5 de agosto de 2026, durante a conferência Future of Memory and Storage 2026. A empresa apresentou uma nova geração de memórias 3D, especialmente desenvolvidas para o setor de inteligência artificial. Com a promessa de acelerar o processamento de dados, a Samsung revelou a nova arquitetura zHBM, que marca um feito impressionante: empilhar mais de 400 camadas de células de armazenamento em um único chip.

Tradicionalmente, os módulos de memória em sistemas de inteligência artificial eram instalados ao lado dos processadores. A inovação apresentada pela Samsung muda esse cenário ao empilhar a memória verticalmente sobre os chips de processamento.

Essa redução na distância entre eles permite que os dados sejam transferidos de forma mais eficiente. Segundo a empresa, essa nova tecnologia pode tornar a transferência de arquivos até oito vezes mais rápida e triplicar a eficiência energética.

Quando se trata de treinar grandes modelos de linguagem, que envolvem bilhões de parâmetros, a maior limitação não está apenas na potência das CPUs ou GPUs, mas na rapidez com que a memória consegue fornecer as informações necessárias. Se a memória é lenta, o processador acaba parado, aguardando os dados para continuar seu trabalho.

Com o aumento da taxa de transferência, a Samsung consegue minimizar esse problema. Essa inovação é exatamente o que empresas como OpenAI, Microsoft e Google estavam buscando para tornar seus data centers mais ágeis e, assim, mais econômicos ao operar em grande escala.

Além disso, essa novidade posiciona a Samsung como uma fornecedora estratégica em um mercado de inteligência artificial que está cada vez mais competitivo. No último trimestre, a divisão responsável pela fabricação de chips de memória da empresa registrou um impressionante aumento de 56% nas vendas.

A Samsung também apresentou a memória LPDDR5X-PIM, que se destaca por ser a primeira da indústria a incorporar a tecnologia Processing-in-Memory (PIM). Isso significa que o próprio chip de memória é capaz de realizar cálculos, reduzindo a necessidade de constante troca de informações com o processador do dispositivo e, consequentemente, economizando energia — algo essencial para dispositivos móveis.

Outro avanço notável mostrado no evento foi o novo padrão de memória V10 BV-NAND, voltado para armazenamento, que apresenta um aumento de 58% na densidade. A Samsung conseguiu empilhar mais de 400 camadas de células em um único componente, o que é realmente notável.

Apesar de todos esses recordes, a maior parte dessa tecnologia será direcionada ao mercado de inteligência artificial.

Atualmente, a Samsung e sua concorrente SK Hynix dominam a produção global de memória e já estão operando no limite da capacidade industrial. Como a prioridade é fabricar os lucrativos chips de IA, a produção de memórias tradicionais acabou ficando em segundo plano.

Essa escassez de componentes nas linhas de montagem gera um efeito cascata.

Com menos memórias disponíveis em estoque, os custos de produção aumentam. O resultado disso é o encarecimento de dispositivos como celulares, consoles e notebooks, o que acaba impactando diretamente o bolso dos consumidores.